数据手册:
A1174: 具有内部或外部控制样品及休眠期的超灵敏霍尔效应锁存,用于轨迹球及滚轮应用 (PDF, English)
精选指南:
霍尔效应传感器,
Low Power Hall-Effect Digital Latches
A1174 是微功率霍尔效应锁存,用于采用旋转检测系统、电源电压介于 1.65 与 3.5 V 之间的便携式设备。此器件具有单个推挽输出结构,无需外部上拉电阻即能可靠运行。
若器件存在充足的正磁场,则器件输出转换为低态,并在此状态下锁存,直至充足强度的负磁场将器件输出锁入高态。当在旋转速度和方向感应系统中使用多个传感器 IC(例如便携式设备的轨迹球和滚动条系统)时,非常适合采用锁存输出。
此器件具有创新的时序,可满足任何应用的微功率需要,包括 PDA 和手机的轨迹球。使用此数据表中所述的 EXTERNAL_CLK 和 DUAL_CLK 引脚,此器件即可设为各种工作模式。
在双时钟模式下,该器件可在预定的快慢取样速率之间切换。若未检测到旋转,器件的平均电流消耗极低。在外部时钟模式下,用户可为设备设置时钟速率,实现所需的开关时间,从而控制平均功率。此用户自定义的时序还有助于实现多台设备的同步时序。此特点确保方向检测系统中各设备输出转换之间的定义阶段关系。
稳定斩波(动态偏移取消)可提升稳定性,降低通常由器件超模压、温度依存性及热应力引起的剩余偏移电压。该器件将霍尔电压发生器、小型信号放大器、稳定斩波特性、锁存和 MOSFET 输出整合在单硅片上,从而提供固态可靠性。
此器件采用 6 触点、1.5 mm × 2 mm、0.40 mm 标称总高度 MLP/DFN 封装, 并带有外露散热板以增强散热功能。该包装为无铅产品,且引脚框采用 NiPdAu电镀。
| 型号 | 封装类型 | 遵循 RoHS规范 |
部件 构成/ RoHS 数据 |
温度 | 评论 | 样品 | 分销商库存 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A1174EEWLT-P | 6-lead MLP/DFN | 是 | 查看数据 | -40 °C to 85 °C |
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