APS12625 和 APS12626：2D 双通道低压霍尔效应锁存器

APS12625 和 APS12626 2D 霍尔效应锁存器系列根据 ISO26262 开发，作为独立安全单元 (SEooC)。该系列器件达到了 ASIL-A 的等级，适用于安全系统。

APS12625 和 APS12626 集成电路是 2D 霍尔效应锁存器，具有垂直和平面霍尔元件。这些器件有三种垂直和平面霍尔元件的组合选择（XY、ZX 和 ZY）。所有三种选项都具有相互正交的感应轴，并为环形磁铁提供 90° 的相位分离。相分离本质上独立于磁极间距和气隙。

这些器件的 2D 架构能在极小面积上布置两个输出和三个传感轴选择，从而简化电机和磁性编码器设计。APS12625 和 APS12626 为终端系统磁性设计提供了前所未有的灵活性。两个输出选项包括速度和方向输出 (APS12625) 和正交通道 A 和通道 B 输出 (APS12626)。

如果传感器在滞后区上电（-P选项），借助该系列提供的独特功能，主机系统在对器件进行重新上电后，可以恢复正确的状态。器件上电并且在其迟滞区中有一个或多个传感器时，这可以减少丢失计数/脉冲的潜在累积。
在一个硅芯片上，这些器件包括：三个霍尔板（一个平面和两个垂直）、一个多路复用器、一个小信号放大器、斩波稳定器、施密特触发器和两个最多吸收10mA 的 NMOS 输出晶体管。这些器件采用低电压设计，可以在 2.8 至 5.5 V 的电压下工作，并可在 L 温度范围（-40°C至150°C）内使用。APS12625 和 APS12626 已满足 175°C 结温工作 500 小时标准。

APS12625 和 APS12626 采用 5 引脚 SOT23W 表面贴装封装 (LH)，每种器件提供两种选择，适合各种磁体至传感器方向。。封装符合 RoHS 标准，不含铅 (Pb)，采用100％雾锡电镀引脚框。