Power-Thru 技术
Allegro 了解高压栅极驱动挑战
FET 的驱动面临几项关键挑战。nbsp; 无论是 GaN、MOS 还是 SiC,都面临这些挑战。
- 复杂性:简单的解决方案往往是最好的解决方案。nbsp; 保持栅极驱动简单是主要动机,同时也是我们面临的最大挑战。nbsp; 设计栅极驱动电路时,烦人的额外元件、隔离电源以及所有这些要素的管理都是难题。nbsp; 减少元件数量将降低复杂性。
- CMTI:值得注意的是,近年来,所有开关类型(GaN、MOS 或 SiC)都在提高其开关转换速度。因此,栅极驱动器的共模瞬态抗扰度需要克服挑战。nbsp; 如果不能满足该要求,则将意味着 FET 栅极可能出现意外转换以及系统可能发生破坏性事件。
- 传播时间:栅极驱动器的首要工作是向器件的栅极提供可靠的栅极驱动信号和能量。nbsp; 如果能在更短的传播时间内将其从系统控制器传送到 FET 栅极,那就更好了。nbsp; 更短的传播时间可以让功率 FET 的开启和关闭周期之间的“死区”管理变得更精确、更容易。nbsp; 这将直接提升系统效率。nbsp; 系统设计师因此将感到高兴!
- EMI:电磁干扰通常是系统设计中最后要考虑的事项。nbsp; 这可能导致设计很难完成,并且消耗大量时间。nbsp; 减少栅极驱动设计内部及周围的元件和电路有助于显著减少系统设计中的 EMI 难题。nbsp; 原因在于共模电容 (Ccm) 会降低。nbsp; 降低 Ccm 会降低循环电流,同时减少系统中的 EMI 难题。
Allegro 一直在应对并已解决所有这些难题。nbsp; 基于我们在 2022 年 Heyday 收购中获得的技术。 经验丰富的工程师团队已将这项技术变为现实,打造出了适合高难度设计和应用的隔离式栅极驱动器产品线。