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注意：AHV85000 和 AHV85040 必须作为双芯片组购买。

GaN FET 隔离式栅极驱动器，双芯片组

AHV85000、AHV85040

DFN -10 Package

AHV85000 和 AHV85040 双芯片组可以为 GaN FET 提供灵活的隔离式栅极驱动，能充分利用 Power-Thru 技术的各种优势。这不仅简化了系统设计、减少了 EMI，并且支持在不同的电源应用中驱动浮动开关。

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Description

Top Features

Typical Applications

Packaging

AHV85000 与 AHV85040 双芯片组可以为 GaN FET 隔离式栅极驱动器提供成本优化的解决方案。在与建议的外部变压器之一组合使用时，它可以提供自供电的隔离式栅极驱动解决方案，是多种应用和拓扑结构中 GaN FET 的理想之选。有多种建议的第三方变压器可供选择，每种变压器都针对不同的驱动电压和栅极电荷特性进行了优化，包括 E 模式 GaN（6 V 驱动）和级联型 GaN（12 V 驱动）。

芯片组可通过外部变压器传输 PWM 信号和栅极偏置电源，无需任何外部栅极驱动辅助偏置电源或高侧自举电路。如此就能大大简化系统设计，并通过降低的总共模 (CM) 电容来减少 EMI。另外，它还允许在开关电源拓扑中的任意位置上驱动浮动开关。

  • 双芯片组可通过单个外部隔离变压器传输 PWM 信号和偏置电源
    • 无高侧自举电路  
    • 无外部次级侧偏置电源
  • 50 ns 传播延迟（使用建议的变压器）
  • 单独的驱动输出引脚：上拉 (2.8 Ω) 和下拉 (1.0 Ω)
  • 电源电压 7 V < VDRV < 13.2 V
  • 初级 VDRV 和次级 VSEC 欠电压锁定
  • 启用快速响应引脚
  • 连续接通能力——无需循环输入或为自举电容器充电
  • CMTI > 100 V/ns dv/dt 抗扰度（使用建议的变压器）
  • 爬电距离 > 4 或 8 mm（使用建议的变压器）
  • AC-DC and DC-DC converters: Totem-pole PFC, LLC half-/full-bridge, SR drive, Multi-level converters, Phase-shifted full-bridge, High-side disconnect
  • Three-phase: Vienna rectifier, T-type inverter
  • Industrial: Transportation, Robotics
  • Grid Infrastructure: Micro-inverters, Solar

The dual chipset is available in a pair of 3x3 mm DFN10 surfacemount 3x3 mm EJ packages, allowing for minimal PCB footprint.

EJ Package Documentation

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Part Number Specifications and Availability