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高效功率转换
精确测量整个动态范围，提供更清晰的信号。
采用宽带隙晶体管
GAN 和 SiC 等宽带隙晶体管需要高带宽的电流传感器，XtremeSense TMR 在不牺牲精度和分辨率的情况下实现了这一点。
减少能源足迹
提供所有磁传感产品类别中最低的功耗。
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精确测量整个动态范围，提供更清晰的信号。
GAN 和 SiC 等宽带隙晶体管需要高带宽的电流传感器，XtremeSense TMR 在不牺牲精度和分辨率的情况下实现了这一点。
提供所有磁传感产品类别中最低的功耗。
XtremeSense TMR 技术的核心是一个薄膜磁阻器件，称为“磁性隧道结”(MTJ)。在最简单的形式中，MTJ 由薄但非常坚固的绝缘层两侧的两个导电磁层组成。一个磁层具有固定的磁矩方向，另一个可以自由变化以跟随局部磁场的方向。
如需更多了解 TMR 对比其他磁传感技术的性能优势，请阅读我们的从霍尔效应到 TMR 应用说明。
自由层和参考层的相对磁化方向确定 MTJ 的电阻。平行磁化方向实现可能的最低电阻水平。反平行磁化方向实现可能的最高电阻水平。
然后将立即检测并放大电阻的这种变化，以准确地感测局部磁场。此功能创造出具有更高灵敏度、更低功耗以及稳定特性的 TMR 高级传感器。
TMR 传感器能够更精确地测量整个动态范围。这些传感器具有出色的工作动态范围，拥有高线性、低磁滞和高灵敏度特点（即磁阻响应曲线具有陡峭的斜坡）。
