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Allegro の XtremeSense™ TMR (トンネル磁気抵抗) 技術は、ホールや AMR、GMR などの他の磁気技術に比べて最も小型でありながら、最も高い磁気感度と最も低い電力消費を実現しています。再生可能エネルギー システムから xEV、コネクテッド コンシューマー デバイスまで、あらゆる用途の進歩を加速化させる Allegro の XtremeSense TMR 技術により、業界をリードするパフォーマンスとコスト水準を達成する電流センサーとポジション センサーが誕生しました。
全ダイナミック レンジで正確に測定し、クリーンな信号を実現します。
GAN や SiC などのワイド バンドギャップ トランジスタには、XtremeSense TMR が正確さや分解能を犠牲にすることなく実現している広帯域幅の電流センサーが必要です。
磁気センサーのすべての製品カテゴリで、最も低い電力消費を実現しています。
XtremeSense TMR 技術の中核となっているのは、薄膜の磁気抵抗デバイスで “磁気トンネル接合” (MTJ) と呼ばれています。最も簡単に言うと、MTJ は 電導の 2 枚の磁性層の間に薄くて堅牢な絶縁層を挟んだ構造となっています。1 つの磁性層の磁気モーメントは方向が固定されており、もう 1 つはローカルの磁場の方向に従って方向を自由に変えることができます。
TMR の性能上の利点と他の磁気センシングの比較についてさらに知りたい場合は、当社の「ホール効果から TMR まで」アプリケーション ノートをご覧ください。
自由層と参照層の相対的な磁化方向により、MTJ の抵抗が決定されます。磁化方向が平行していると、抵抗レベルは最も低くなります。磁化方向が平行でないと、抵抗レベルは最も高くなります。
この磁気抵抗の変化は、ローカルな磁場を正確に感知するために、直ちに検知および増幅されます。この機能は、高感度、低い電力消費、安定した特性を備えた高度な TMR センサーを生み出します。
TMR のセンサーは、全ダイナミック レンジをより正確に測定します。これらのセンサーはダイナミック レンジに優れ、高い直線性、低いヒステリシス、高感度の特性を備えています (つまり、磁気抵抗応答曲線が急こう配になっています)。
